大きな直径の高濃度ドープ4H-SiC結晶を成長させるため過程とるつぼ修正

文献

J-GLOBAL ID：201202277498708063 整理番号：12A1005968

Process and Crucible Modification for Growth of Highly Doped 4H-SiC Crystal with Larger Diameter

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A1005968&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A1005968&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0716B") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 717/720 号： Pt.1 ページ： 17-20 発行年： 2012年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

, , , , , , ,

前のページに戻る