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J-GLOBAL ID：201202277761434119   整理番号：12A1006224

極限環境用途向けの安定な保護皮膜を施した4H-SiC MOSFET

4H-SiC MOSFETs With a Stable Protective Coating for Harsh Environment Applications

著者 (6件)： DAVES W. (Robert Bosch GmbH, Gerlingen, DEU) ,  KRAUSS A. (Robert Bosch GmbH, Gerlingen, DEU) ,  HAEUBLEIN V. (Fraunhofer Inst. Integrated Systems and Device Technol., Erlangen, DEU) ,  BAUER A. J. (Fraunhofer Inst. Integrated Systems and Device Technol., Erlangen, DEU) ,  FREY L. (Fraunhofer Inst. Integrated Systems and Device Technol., Erlangen, DEU) ,  FREY L. (Univ. Erlangen-Nuremberg, Erlangen, DEU)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.2  ページ： 1089-1092  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 極限環境 ,  用途 ,  保護皮膜 ,  4H-SiC ,  MOSFET