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J-GLOBAL ID：201202278032206099   整理番号：12A0616126

RFマグネトロンスパッタリングで作製したLiMn₂O₄膜の成長条件の研究

Investigation of deposition condition of LiMn₂O₄ films prepared by RF magnetron sputtering

著者 (2件)： ISAI Masaaki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAKAMURA Mitsuhiro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 37  号： 1  ページ： 99-101  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リチウム二次電池用LiMn₂O₄膜をRFマグネトロンスパッタリングで作製し,成長条件を調べた。RFスパッタリングパラメータとしてRF出力(100~200W),スパッタリング時間(1~3h),Ar:O₂流量比(=4:0~1:3),スパッタリング圧力(5~35Pa)を制御し,Al基板に製膜した。膜厚を重量法で評価した。膜厚はRF出力とスパッタリング時間に比例して増加し,スパッタリング圧力に反比例した。成長速度はAr流量に比例して増加した。

シソーラス用語： *マンガン酸塩 ,  *リチウム化合物 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  基板 ,  *アルミニウム ,  *薄膜成長 ,  *リチウム二次電池 ,  *パラメータ ,  出力 ,  時間依存性 ,  アルゴン ,  酸素 ,  比率 ,  流量 ,  圧力効果 ,  膜厚 ,  成長速度
準シソーラス用語： マンガン酸リチウム ,  *酸化物薄膜 ,  流量比 ,  圧力依存性

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (20件)：

• 1. Desilvestro and O. Haas, J.Electrochem.Soc.137, 5C (1990).
• 2. R. Koksbang, J. Barker, H. Shi, and M. Y. Saidi, Solid State Ionics 84, 1 (1996).
• 3. M. M. Thackeray, A de Kock, M. H. Rossouw, D. Liles, R. Bittihn, and D. Hoge, J.Electrochem.Soc.139, 363 (1992).
• 4. R. J. Gummow, A de Kock, and M. M. Thackeray, Solid State Ionics, 69, 59 (1994).
• 5. J. C. Hunter, J. Solid State. Chem.39, 142 (1981).

タイトルに関連する用語 (4件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  成長条件 ,  研究