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J-GLOBAL ID：201202278879928031   整理番号：12A0549209

原子層堆積により成長させたc面ZnOエピタキシャル膜での底面積層欠陥と関連したフォトルミネッセンス

Photoluminescence associated with basal stacking faults in c-plane ZnO epitaxial film grown by atomic layer deposition

著者 (7件)： YANG S. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan) ,  KUO C. C. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan) ,  LIU W.-r. (Scientific Res. Div., National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu 30076, Taiwan) ,  LIN B. H. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan) ,  HSU H.-c. (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering and Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ. ...) ,  HSU C.-h. (Scientific Res. Div., National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu 30076, Taiwan) ,  HSIEH W. F. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 10  ページ： 101907-101907-4  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積でc面サファイア上に成長させたアニールZnO薄膜における支配欠陥として,密度がほぼ1×10⁶cm^-1の底面積層欠陥(BSF)を識別した。低温フォトルミネッセンス測定における3.321eVに中心がある支配ピークはBSFからの発光であるとした。発光機構はBSFにより形成された量子井戸様構造の領域における閉込め間接励起子であると考えた。低温でのBSF束縛励起子に関する19meVの観測されたエネルギーシフトは,BSF量子井戸間のカップリングと関連した局在効果に起因しているようである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  エピタクシー ,  化学蒸着 ,  *積層欠陥 ,  *光ルミネセンス ,  発光 ,  励起子 ,  量子井戸 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 原子層堆積 ,  束縛励起子 ,  励起子発光

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  成長 ,  ZnO ,  エピタキシャル膜 ,  底面 ,  積層欠陥 ,  フォトルミネッセンス