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J-GLOBAL ID：201202279031330485   整理番号：12A0956095

n-GaNへの酸素自動ドーピングが誘起するキャリア補償の直接証拠

Direct Evidence of Carrier Compensation Induced by Auto-Doped Oxygen in n-GaN

著者 (5件)： YOO Y. Z. (Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR) ,  CHOI J. S. (Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR) ,  KIM K. J. (Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR) ,  WOO G. J. (Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR) ,  PARK B. M. (Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 6  ページ： J209-J211  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,n型GaNのキャリア効率に及ぼす微量酸素濃度の影響を示し,成長中のSiドーピンクがGaNへの酸素自動ドーピングを増強することを明らかにした。GaNへのSiドーパントの活性化効率に及ぼす酸素自動ドーピングの影響を直接観察した。Siドーパントの活性化効率は,わずかに増えた酸素濃度に応答して55から30%までの急減を示した。この減少では,GaNへの自動ドーピング酸素(約10⁶/cm³)がSi活性化効率で重要な役割を果すことを明らかにした。詳細な組成/電気特性化と光ルミネセンス結果では,Siドーピングハイブリッド気相エピタクシーGaN電気特性の酸素依存性を明らかにした。

シソーラス用語： *ドーピング ,  *酸素 ,  *窒化ガリウム ,  *N型半導体 ,  *キャリア ,  *効率 ,  濃度 ,  結晶成長 ,  エピタクシー ,  ケイ素 ,  ドーパント ,  活性化 ,  化学組成 ,  電気特性 ,  光ルミネセンス ,  濃度依存性
準シソーラス用語： *自動ドーピング ,  酸素濃度

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  酸素 ,  自動ドーピング ,  誘起 ,  キャリア ,  補償 ,  証拠