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J-GLOBAL ID：201202279251943348   整理番号：12A0819405

TiN材料のドーパント活性化および熱安定性に用いる低温マイクロ波アニーリングプロセス

Low-Temperature Microwave Annealing Process for Dopant Activation and Thermal Stability of TiN Material

著者 (6件)： TSAI Bo-An (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LAI Chiung-Hui (Chung Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE Bo-Shiun (Chung Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LUO Chih-Wei (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE Yao-Jen (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  LEE Yao-Jen (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 15  号： 6  ページ： H185-H187  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiNゲート電極をもつ金属酸化物半導体(MOS)構造のΔV_FBを,マイクロ波アニーリング(MWA)を用いて十分に活性化したドーパントで抑制した。急速熱アニーリング(RTA)分割に関して,ΔV_FBシフトがシビアで0.27eVに達した。しかし,ΔV_FBシフトは,出力Aの200sでの僅か0.12eVで,³¹P,⁷⁵Asおよび¹¹Bドーパントを十分活性化した;同時に,シート抵抗(R_s)はRTA分割の抵抗に近かった。TiN膜のXRD強度およびR_sの分析は,仕事関数シフトの説明を提供した。TiN膜は全てのMWA分割で殆ど同じ構造を示した。

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *ゲート【半導体】 ,  MOS構造 ,  ドーパント ,  活性化 ,  熱安定性 ,  *低温 ,  *マイクロ波加熱 ,  *RTA【熱処理】 ,  分割 ,  シート抵抗 ,  X線回折 ,  仕事関数 ,  物理蒸着 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *急速熱アニーリング ,  *窒化チタン

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (8件)： TiN ,  ドーパント ,  活性化 ,  熱安定性 ,  低温 ,  マイクロ波 ,  アニーリング ,  プロセス