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J-GLOBAL ID：201202279426084084   整理番号：12A0672150

歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ

Ultrafast All-Optical Switches using Multilayer Cavity with Er-Doped InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers

著者 (4件)： 森田健 (徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ) ,  上山日向 (徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ) ,  北田貴弘 (徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ) ,  井須俊郎 (徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 449(OPE2011 198-214)  ページ： 31-34  発行年： 2012年02月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AlAs多層膜光共振器を分子線エピタキシー法により作製し,その1.55μm波長帯の超高速光スイッチング特性について報告する。In組成の高い歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層として用い,超高速なキャリア緩和(<数ps)を維持しながら吸収飽和による高い光非線形性を実現した。共振器モードの波長(1.5μm)で時間分解透過率変化測定を行い,超高速光スイッチング特性を調べた。今回作製したEr添加したInAs量子ドット共振器の応答速度は4psと速く,何も添加していないInAs量子ドット共振器の応答速度(12ps)にくらべて大きく改善した。(著者抄録)

シソーラス用語： 高速度 ,  *光スイッチ ,  多層膜 ,  *光共振器 ,  Kerr効果 ,  光集積回路 ,  緩和現象 ,  ヒ化インジウム ,  エルビウム添加合金 ,  量子ドット ,  Q値 ,  MBE成長 ,  通信網
準シソーラス用語： バリア層 ,  応答速度 ,  光Kerr効果 ,  光非線形性 ,  *全光スイッチ ,  全光ネットワーク ,  超高速 ,  歪緩和

分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 歪緩和 ,  バリア層 ,  Er ,  InAs量子ドット ,  多層膜 ,  光共振器 ,  全光スイッチ