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J-GLOBAL ID：201202279427117202   整理番号：12A0425551

InGaNベースの発光ダイオードにおける曲面GaN側壁による光抽出効率改善

Light Extraction Efficiency Improvement by Curved GaN Sidewalls in InGaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (7件)： ZHANG Yiyun (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  GUO Enqing (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LI Zhi (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WEI Tongbo (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LI Jing (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  YI Xiaoyan (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Guohong (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 1-4  ページ： 243-245  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LEDの光通出効率を改善する曲面GaN側壁の新しい政策方を提案した。多角形のGaN側壁を,2段階レーザスクライビングプロセスと熱酸エッチング処理の後に製作する。この曲面側壁LEDの光電特性を検討し,傾斜および垂直GaN側壁を持つLEDと比較した。光電特性試験によれば,従来の傾斜および垂直GaN側壁LEDに比較して,曲面側壁LEDの光出力パワーは,それぞれ,10.2%および6.8%と大きく強化され,一方,電気的特性は低下していない。さらに,レイトレーシングのうによる数値シミュレーションを行い,これらの結果を確認した。I-V曲線は,この方法が,LEDの性能を改善する信頼のある方法であることを示した。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *発光ダイオード ,  *曲面
準シソーラス用語： *InGaN ,  レイトレーシング ,  *光抽出効率

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  曲面 ,  GaN ,  側壁 ,  光抽出効率