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J-GLOBAL ID：201202279471438652   整理番号：12A0607597

沿面放電プラズマを用いたSiエッチングの電源周波数依存性

Frequency Dependence on Etching Characteristics of Silicon using Surface Discharge Plasma

著者 (4件)： 有村拓也 (宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻) ,  平野啓太 (宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻) ,  濱田俊之 (宮崎県企業局電気課) ,  迫田達也 (宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 132  号： 4  ページ： 333-334 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 簡素かつ低コストのマスクレスで表面加工が可能な大気圧沿面放電プラズマによる太陽電池受光面の電極パターン状エッチング特性について,交流電源の周波数を変化させる実験により検討した。エッチング装置の概要を示し,電極,誘電体およびエッチング処理に用いるSi基板等について述べた。実験結果として,電源周波数が高くなるに従い深さ方向へのエッチングレートが高くなること,エッチング溝幅は周波数に依存せずほぼ一定であること等を示した。結論として周波数を高く設定することで高いエッチングレートが得られ,幅方向へのエッチングは抑制されて深さ方向のみエッチングが進展すると述べた。

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  *沿面放電 ,  *表面加工 ,  ケイ素 ,  基板 ,  *太陽電池 ,  周波数依存性 ,  パターン形成 ,  パターン転写 ,  表面処理

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (2件)：

• SAKODA, T. Selective Etching of Silicon Nitride Film on Single Crystalline Silicon Solar Cell Using Intensive Surface Discharge. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 5A, 3992-3993
• HORZEL, J. A Simple Processing Sequence for Selective Emitter. Proc. of 26th IEEE PVSC, 1997. 1997, 139-142

タイトルに関連する用語 (4件)： 沿面放電 ,  プラズマ ,  Siエッチング ,  周波数依存性