文献
J-GLOBAL ID:201202279723253197   整理番号:12A0895417

フラーレン/バソクプロインのヘテロ接合界面におけるエネルギーバンド曲げ誘起電荷蓄積

Energy band bending induced charge accumulation at fullerene/bathocuproine heterojunction interface
著者 (4件):
資料名:
巻: 100  号: 24  ページ: 243301-243301-4  発行年: 2012年06月11日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
フラーレン(C60)/バソクプロイン(BCP)/Agのヘテロ構造についての電子的性質を,光電子放出分光法によりBCP層厚さの関数として研究した。BCP薄層において。界面においてエネルギー準位はフラットでギャップ状態が存在する。対照的にBCP層が厚いとC60/BCP界面においてエネルギーバンド曲げが起きて,電子輸送についてかなりの障壁が生じ,従って有機太陽電池で電荷蓄積が起きる原因となった。結果から,BCP薄層ははるかに好ましいエネルギー準位構造を与えることが明らかになり,電荷蓄積が異常な電流-電圧(I-V)曲線の原因である考えと一致した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体結晶の電子構造  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  太陽電池 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです

前のページに戻る