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J-GLOBAL ID：201202279758733469   整理番号：12A0480375

イットリウム/ゲルマニウム界面の形成:室温におけるFermiレベルピンニングと混合

Formation of the yttrium/germanium interface: Fermi-level pinning and intermixing at room temperature

著者 (5件)： LIU Z. Q. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576) ,  CHIM W. K. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576) ,  CHIAM S. Y. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  PAN J. S. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  NG C. M. (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd, 60 Woodlands Street 2, Singapore 738406)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 9  ページ： 092110  発行年： 2012年02月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面現象の理解は先端半導体デバイスのための材料の成長における精密な制御に対して欠くことのできないものである。イットリウム/ゲルマニウム界面でのSchottkyバリア発生と化学反応を研究するためにシステム的なその場解析依存の研究を行う。金属起因のギャップ状態が,より厚いイットリウム(Y)において強いFermiレベルピンニングを招いたが,初期の成長段階での吸着原子起因のバンドベンディングを報告する。さらに,イットリウムの3Å厚で著しい混合が起き,そしてYの17Åで飽和する。この自己制限混合の背後に横たわるメカニズムを化学結合と金属起因の減衰する理論の組み合わせによって良く表現できる。このデバイス性能に対する発見を議論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体 ,  半導体素子 ,  チャネル ,  *イットリウム ,  *ゲルマニウム ,  *界面 ,  *Fermi準位 ,  *ピン止め ,  *混合 ,  *半導体材料 ,  Schottky障壁 ,  計測 ,  バンド構造 ,  曲げ ,  CMOS
準シソーラス用語： その場計測 ,  ヘテロ界面

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： イットリウム ,  ゲルマニウム ,  界面 ,  室温 ,  Fermiレベル ,  ピンニング