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J-GLOBAL ID：201202279791199362   整理番号：12A0524626

CaF₂で緩衝された立方形テクスチャ型NiへのGeの低温エピタキシャル成長

Low temperature epitaxial growth of Ge on CaF₂ buffered cube-textured Ni

著者 (6件)： GAIRE C. (Dep. of Physics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA) ,  PALAZZO J. (Dep. of Physics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA) ,  BHAT I. (Dep. of Electrical Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA) ,  GOYAL A. (Oak Ridge National Laboratories, Oak Ridge, TN 37831, USA) ,  WANG G.-c. (Dep. of Physics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA) ,  LU T.-m. (Dep. of Physics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 343  号： 1  ページ： 33-37  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 350°Cの温度で,CaF₂絶縁緩衝層を用いた立方形テクスチャ型Niに準結晶Ge膜を成長した。350°CでのNi上へのGeの直接堆積は,Niと合金化することが知られている。X線極点図の解析から,Geが同じ配向性でエピタキシャル成長することが明らかになり,面外方向と面内方向の分散は,それぞれ,1.7±0.1°,6±1°であることが分かった。面外方向では,Ge[111]∥CaF₂[111]∥Ni[001]であった。さらに,Geは,二つの相互に直交する方向,つまり,Ge<<span style=text-decoration:overline>2</span>11>とGe<0<span style=text-decoration:overline>1</span>1>が,それぞれ,Ni(001)表面のNi<<span style=text-decoration:overline>1</span>10>,Ni<<span style=text-decoration:overline>1</span><span style=text-decoration:overline>1</span>0>の相互に直交する方向に平行であるような,四つの等価な面内配向したドメインから構成されていた。これは,それらの方向におけるCaF₂とNiの間の不整合歪みを最小化するように生じたGaF₂の等価な面内配向したドメインが起源であることが明らかになった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バッファ層 ,  立方晶系 ,  ニッケル ,  基板 ,  *ゲルマニウム ,  *準結晶 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロエピタクシー ,  *極点図 ,  *結晶方位 ,  分域 ,  *真空蒸着
準シソーラス用語： X線極点図

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： CaF2 ,  緩衝 ,  テクスチャ ,  Ni ,  Ge ,  低温 ,  エピタキシャル成長