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J-GLOBAL ID：201202279863577847   整理番号：12A0651729

GaN系発光ダイオードにおける内部電場の測定

Measurement of Internal Electric Field in GaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (7件)： PARK Su-Ik (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  LEE Jong-Ik (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  JANG Dong-Hyun (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  KIM Hyun-Sung (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  SHIN Dong-Soo (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  RYU Han-Youl (Inha Univ., Incheon, KOR) ,  SHIM Jong-In (Hanyang Univ., Ansan, KOR)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48  号： 3-4  ページ： 500-506  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaNの多重量子井戸(MQW)内には圧電効果によって誘導された大きな内部電場が存在し,これがMQWを有する素子のオプトエレクトロニクス特性に影響をおよぼす。放射効率はピエゾ電界の増加とともに減少する。本論文ではInGaN/GaNのMQW構造内のピエゾ電界を推定するために,光ルミネセンス(PL),エレクトロルミネセンス(ER)および光電流(PC)の分光法を適用し,相互比較および理論計算値と比較した。InGaN/GaNのMQW構造のシミュレーションにおいて明らかになった正確なフラットバンド電圧の決定において考えられる不確かさについて検討した。PL,PCおよびERによって測定したピエゾ電界はそれぞれ,-1.81,-2.12±0.14およびー2.04MV/cmである。これらの値は理論計算値と良く一致する。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  多重量子井戸 ,  光ルミネセンス ,  エレクトロルミネセンス ,  *スペクトロスコピー
準シソーラス用語： GaN ,  InGaN ,  フラットバンド電圧 ,  圧電効果 ,  計算値 ,  光電流分光法 ,  相互比較 ,  *内部電場

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  分光法と分光計一般  (BD07041Q) ,  電流,電圧,電荷の計測法・機器  (AD07020C)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  発光ダイオード ,  内部電場