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J-GLOBAL ID：201202280588030814   整理番号：12A1778147

25wt% TMAH水溶液による(100)シリコン基板上のマスクレス凸状コーナー補償技術

Maskless convex corner compensation technique on a (100) silicon substrate in a 25 wt% TMAH water solution

著者 (3件)： SMILJANIC Milce M (Univ. Belgrade, Belgrade,ZZZ) ,  JOVIC Vesna (Univ. Belgrade, Belgrade,ZZZ) ,  LAZIC Zarko (Univ. Belgrade, Belgrade,ZZZ)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 22  号： 11  ページ： 115011,1-11  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウェット異方性化学エッチングによるバルクシリコンのマイクロマシニングは広く使われているが,得られる形状は限られている。突起状コーナーを持つメサ構造のエッチングにおいてはアンダーカットが課題である。本稿では,80°Cの25wt% TMAH水溶液による(100)シリコン基板上のマスクレス凸状コーナー補償技術について報告した。マスク使用とマスクレス異方性エッチングを組合せ,<100>方位ビームの形で凸状コーナー補償を行った。この方法によりエッチング構造の底部で補償された凸状コーナーを持つ3次元マイクロマシニング加工シリコン構造が可能になった。実験に基づく,マスクレス凸状補償技術のパラメータ間の関係を求めた。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *エッチング ,  異方性 ,  湿式法 ,  マイクロマシニング ,  突起部 ,  *メサ構造 ,  *アンダカット ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  *異方性エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： TMAH

タイトルに関連する用語 (7件)： TMAH ,  水溶液 ,  シリコン基板 ,  マスクレス ,  凸状 ,  コーナー ,  補償