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J-GLOBAL ID：201202280605872530   整理番号：12A1604744

セリアナノ構造の欠陥設計に及ぼすGdドーパント濃度影響

Effect of Gd dopant concentration on the defect engineering in ceria nanostructures

著者 (4件)： M. Sakar (National Centre for Nanoscience and Nanotechnology, Univ. of Madras, Chennai 600025, IND) ,  RAJKUMAR Rubini (National Centre for Nanoscience and Nanotechnology, Univ. of Madras, Chennai 600025, IND) ,  S. Tripathy (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  S. Balakumar (National Centre for Nanoscience and Nanotechnology, Univ. of Madras, Chennai 600025, IND)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 47  号： 12  ページ： 4340-4346  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,純粋なセリアナノ構造とガドリニウム添加セリアナノ構造(Ce_1-xGd_xO_2-δ;x=0.05,0.1,0.2)の合成と特性化を調べた。XRD,UV-vis,Ramanにより,欠陥生成起源を体系的に調べた。全ての合成セリアは,FESEM法利用により認められる「ナノスポンジ」形態であると分った。UV-DRSにより,これらの欠陥構造に因るO^2-イオンとCe³⁺/Ce⁴⁺の電荷移動を研究した。インピーダンス分析では,5%Gd添加セリアが,他の濃度のGdと比べ,増強イオン伝導率を示し,ドーパント濃度が,セリア構造における多量の空孔欠陥の設計で重要なパラメータであることを明らかにした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化セリウム ,  *ドーパント ,  *ガドリニウム化合物 ,  *硝酸塩 ,  *ナノ構造 ,  *空孔欠陥 ,  X線回折 ,  スペクトロスコピー ,  Raman分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  多孔質体 ,  アニオン ,  金属イオン ,  電荷移動 ,  インピーダンス ,  電気伝導率
準シソーラス用語： *硝酸ガドリニウム ,  紫外可視分光法 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  スポンジ ,  拡散反射分光法 ,  酸素イオン ,  セリウムイオン ,  イオン伝導率

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： セリア ,  ナノ構造 ,  欠陥 ,  設計 ,  Gd ,  ドーパント