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J-GLOBAL ID：201202280640481781   整理番号：12A0607836

優先配向を有する多結晶シリコン薄膜におけるピエゾ抵抗係数の上下界導出法

Derivation of Upper and Lower Bounds for Piezoresistive Coefficients of Polycrystalline Silicon Films with Preferred Orientation

著者 (2件)： 松塚直樹 (立命館大学理工学部マイクロ機械システム工学科) ,  鳥山寿之 (立命館大学理工学部マイクロ機械システム工学科)
資料名： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
巻： 61  号： 3  ページ： 280-285 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LPCVDによる多結晶シリコン薄膜のうち,優先配向を有する薄膜でのピエゾ抵抗係数の上下界を求める手法を提案した。この薄膜では,膜厚の方向軸まわりに結晶粒は無秩序に配向し,結晶粒の形状・寸法・配向に相互関連性はないものとした。多結晶シリコン薄膜内で一定の応力および一定の比抵抗変化を仮定して,単結晶シリコンのピエゾ抵抗係数から多結晶シリコンのピエゾ抵抗係数を近似的に求めた。得られた近似値を用いて多結晶シリコン薄膜のピエゾ抵抗係数の上下界を定義できることを数学的に示した。この手法により,すべての多結晶シリコン薄膜に対して普遍的に適用できるピエゾ抵抗係数の上下界を概算し,文献値の範囲内であることを確認した。

シソーラス用語： 電気抵抗 ,  限界 ,  優先配向 ,  *ポリシリコン ,  電気抵抗率 ,  圧抵抗効果 ,  *係数 ,  近似法 ,  LPCVD ,  蒸着膜 ,  圧電素子 ,  数学モデル ,  多結晶 ,  下界 ,  上界 ,  圧電抵抗
準シソーラス用語： ピエゾ抵抗 ,  *ピエゾ抵抗係数 ,  ピエゾ抵抗効果

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

引用文献 (22件)：

• 1) K. E. Petersen, “Silicon as a mechanical material”, Proceedings of IEEE, Vol.70, No.5, pp.420-457 (1982).
• 2) C. S. Smith, “Piezoresistive effect in germanium and silicon”, Physical Reviews, Vol.94, No.1, pp.42-49 (1954).
• 3) W. G. Pfann and R. N. Thurston, “Semiconducting stress transducers utilizing the transverse and shear piezoresistance effects”, Journal of Applied Physics, Vol.32, No.10, pp.2008-2019 (1961).
• 4) O. N. Tufte and E. L. Stelzer, “Piezoresistive properties of silicon diffused layers”, Journal of Applied Physics, Vol.34, No.2, pp.313-318 (1963).
• 5) D. R. Kerr and A. G. Milnes, “Piezoresistance of diffused layers in cubic semiconductors”, Journal of Applied Physics, Vol.34, No.4, pp.727-731 (1963).

タイトルに関連する用語 (6件)： 優先配向 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  ピエゾ抵抗 ,  係数 ,  導出