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J-GLOBAL ID：201202280674238401   整理番号：12A1005979

Si-Crベース融液を用いた4H-SiCバルク結晶の溶液引き上げ成長

Top-Seeded Solution Growth of 4H-SiC Bulk Crystal Using Si-Cr Based Melt

著者 (10件)： DAIKOKU H. (Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN) ,  KADO M. (Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN) ,  SAKAMOTO H. (Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN) ,  SUZUKI H. (Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN) ,  BESSHO T. (Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN) ,  KUSUNOKI K. (Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  YASHIRO N. (Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  OKADA N. (Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  MORIGUCHI K. (Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  KAMEI K. (Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 61-64  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  Cr ,  融液 ,  4H-SiC ,  バルク結晶 ,  溶液 ,  引き上げ ,  成長