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J-GLOBAL ID：201202280815222679   整理番号：12A1776502

N極性GaN高電子移動度トランジスタにおける異常出力コンダクタンス

Anomalous Output Conductance in N-Polar GaN High Electron Mobility Transistors

著者 (7件)： WONG Man Hoi (Univ. California, CA, USA) ,  WONG Man Hoi (SEMATECH Inc., TX, USA) ,  SINGISETTI Uttam (Univ. California, CA, USA) ,  SINGISETTI Uttam (Univ. NY, USA) ,  LU Jing (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK James S. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 11  ページ： 2988-2995  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単チャネル効果に似た異常出力コンダクタンスが超チャネルN極性GaNチャネル/AlGaNバックバリア/GaNバッファHEMTで観察される。この現象はドレイン誘起障壁低下,リーク電流,衝突イオン化などで説明できない。出力コンダクタンスは負に分極したAlGaNバックバリア/GaNバッファ界面のドナー様ホールトラップ準位のイオン化に原因があることを提案する。ホールトラップはゲートのドレイン側閾値をシフトさせ,高電界空乏領域は電流飽和以降まで拡がる。小信号高周波条件では出力コンダクタンス増加や関連するデバイス性能低下のいかなる兆しも表れない。出力コンダクタンスはトラップを補償する光生成ホールの導入で抑制されている。出力コンダクタンスに対するバックバリアの効果をAlGaNの設計を変えて調べた。

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  分極 ,  電子 ,  捕獲 ,  捕獲中心 ,  電流電圧特性 ,  素子構造 ,  *コンダクタンス ,  衝突イオン化
準シソーラス用語： AlN ,  GaN ,  トラップ【固体】 ,  高電子移動度トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 極性 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  コンダクタンス