文献

J-GLOBAL ID：201202280938366330   整理番号：12A1099672

Al₂O₃/SiO₂検出膜を持つシリコンナノワイヤにより可能とする電解質-絶縁体-半導体高感度pHセンサ

Highly sensitive electrolyte-insulator-semiconductor pH sensors enabled by silicon nanowires with Al₂O₃/SiO₂ sensing membrane

著者 (4件)： OH Jin Yong (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California Davis, One Shields Avenue, Davis, CA 95616, USA) ,  JANG Hyun-june (Dep. of Electronic Materials Engineering, 447-1, Wolgye-dong, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR) ,  CHO Won-ju (Dep. of Electronic Materials Engineering, 447-1, Wolgye-dong, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR) ,  ISLAM M. Saif (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California Davis, One Shields Avenue, Davis, CA 95616, USA)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 171-172  ページ： 238-243  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低感度と乏しい信頼性が,現在,固相バイオ化学センサ応用を制限している。Siナノワイヤ(NW)集合の統合による電解質-絶縁体-半導体(EIS)センサ(大きなキャパシタンス,Nernst限界近くのpH感度,良好な信頼性を持つ)を初めて示した。無電解湿式エッチング法利用により,NWを合成した。検出膜としてAl₂O₃/SiO₂2層皮膜を用いた。長さ3.9μmのNWを含むEISセンサは,NW統合無しで同じ合成法を用い合成した平面型EISのものより,約8倍大きなキャパシタンスを示した。室温下で測定したpH感度は60.2mV/pHで,Nernst理論値59mV/pHより大きかった。結果と分析で,超高感度pH検出は,最適NW統合EISセンサで実現できることを明確に示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *pHセンサ ,  *電解質 ,  *多層膜 ,  *酸化アルミニウム ,  *二酸化ケイ素 ,  *絶縁材料 ,  *ポリジメチルシロキサン ,  *半導体 ,  *ナノワイヤ ,  静電容量 ,  信頼性 ,  感度 ,  式 ,  エッチング ,  ウェットエッチング ,  *絶縁体
準シソーラス用語： *二層膜 ,  *シリコンナノワイヤ ,  キャパシタンス ,  Nernst応答 ,  湿式エッチング

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al2O3 ,  SiO2 ,  シリコンナノワイヤ ,  電解質 ,  絶縁体 ,  高感度 ,  pHセンサ