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J-GLOBAL ID：201202280942009380   整理番号：12A0312166

ポリエーテルスルフォン基板上に形成された高分子ゲート絶縁体をもつZnO薄膜トランジスタ

ZnO thin-film transistors with a polymeric gate insulator built on a polyethersulfone substrate

著者 (8件)： HYUNG Gun Woo (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Hongik Univ., Seoul 121-791, KOR) ,  PARK Jaehoon (School of Engineering and Computing Sciences, and Centre for Molecular and Nanoscale Electronics, Durham Univ. ...) ,  KOO Ja Ryong (Dep. of Information Display, Hongik Univ., Seoul 121-791, KOR) ,  CHOI Kyung Min (Dep. of Electronics Engineering, Kyungwon Univ., Seongnam 416-701, KOR) ,  KWON Sang Jik (Dep. of Electronics Engineering, Kyungwon Univ., Seongnam 416-701, KOR) ,  CHO Eou Sik (Dep. of Electronics Engineering, Kyungwon Univ., Seongnam 416-701, KOR) ,  KIM Yong Seog (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Hongik Univ., Seoul 121-791, KOR) ,  KIM Young Kwan (Dep. of Information Display, Hongik Univ., Seoul 121-791, KOR)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 69  ページ： 27-30  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 架橋ポリ(ビニール・アルコール)(c-PVA)絶縁体をもつ酸化亜鉛(ZnO)薄膜トランジスタ(TFTs)を,ポリエーテルスルフォン基板上に形成した。原子層成長法で形成されたZnO薄膜は,約3.37eVのバンドギャップエネルギーをもつ多結晶六方晶構造を示している。制作したZnO TFTは,0.38cm²/Vの電界効果移動性と,0.2Vのしきい値電圧を示す。素子のヒステリシスは,c-PVA/ZnO界面における捕捉電子によって主に引き起こされる。それは,ZnO薄膜からc-PVA絶縁体への電子注入のために,定常性の正のゲートバイアス圧の結果として,5000s後に,正のしきい値電圧シフトが起こるためである。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *透明導電膜 ,  ポリエーテルスルホン ,  高分子膜 ,  ポリビニルアルコール ,  キャリア移動度 ,  ヒステリシス ,  酸化膜 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ZnO薄膜 ,  ポリエーテルスルフォン膜 ,  ゲート絶縁体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリエーテルスルフォン ,  高分子 ,  ゲート絶縁体 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ