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J-GLOBAL ID：201202281182800461   整理番号：12A1222720

O₂気体流を変えてRFスパッタリングで蒸着した非晶質In-Ga-Zn-O膜の組成が光学的性質と電気的性質に及ぼす影響

Effects of composition on optical and electrical properties of amorphous In-Ga-Zn-O films deposited using radio-frequency sputtering with varying O₂ gas flows

著者 (4件)： LEE Yih-shing (Dep. of Optoelectronic System Engineering, Minghsin Univ. of Sci. & Technol., Hsin-Fong, Hsin-Chu 30401, Taiwan, TWN) ,  CHEN Wei-jhe (Dep. of Optoelectronic System Engineering, Minghsin Univ. of Sci. & Technol., Hsin-Fong, Hsin-Chu 30401, Taiwan, TWN) ,  HUANG Jyun-sheng (Dep. of Optoelectronic System Engineering, Minghsin Univ. of Sci. & Technol., Hsin-Fong, Hsin-Chu 30401, Taiwan, TWN) ,  WU Shich-chuan (National Nano Device Laboratories, Science-based Industrial Park, Hsin-chu 30078, Taiwan, TWN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 23  ページ： 6942-6946  発行年： 2012年09月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： O₂流量比が6%以下では流量比と共に電気抵抗率が上昇し,6%以上では流量比と共に電気抵抗率は低下した。多くの亜鉛原子(約50%)を有するa-IGZO膜の平均透過率は種々のO₂流量比で80%を越えた。しかし,O₂流量比無しで亜鉛原子比が低いと(約20%),a-IGZO膜の平均透過率は10%以下に低下し,これはIn過剰a-IGZO膜中のIn及び酸化In結晶の析出に起因した。結果はGa原子比が増加し,In原子比が低下すると,電気抵抗率が増加することを明らかにした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  *化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *電気抵抗率 ,  透過率 ,  析出 ,  インジウム ,  半導体材料 ,  光透過 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線構造解析
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： O2 ,  気体流 ,  RFスパッタリング ,  蒸着 ,  非晶質 ,  In-Ga-Zn-O ,  組成 ,  光学的性質 ,  電気的性質