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J-GLOBAL ID：201202281205773076   整理番号：12A1730732

TiO₂界面層を用いたn⁺Geに対する比接触抵抗の減少

Reduction in Specific Contact Resistivity to n⁺ Ge Using TiO₂ Interfacial Layer

著者 (3件)： LIN J.-Y. Jason (Stanford Univ., CA, USA) ,  ROY Arunanshu M. (Stanford Univ., CA, USA) ,  SARASWAT Krishna C. (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 11  ページ： 1541-1543  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属/Geインタフェイスにおける金属Fermi準位は,Geの価電子バンドエッジ近傍でピニングされる。それは,大規模電子Schottky障壁高さによるn 型Geに対して高比接触抵抗を生ずる。代表的には,10^-4・cm²以上である。GeはSiに比較して,高度の電子移動度をもつが,Ge nチャネルMOSFETにおける高いI_ONを実現するには,(S/D)領域における寄生抵抗の低減が必要である。本レターでは,MIS接触を用いて1.3×10⁶⁴・cm²を達成した。それは,TiO₂界面層の挿入によるものである。

シソーラス用語： *比率 ,  *境界層 ,  *ゲルマニウム ,  Fermi準位 ,  酸化チタン ,  MIS構造
準シソーラス用語： Ge ,  二酸化チタン ,  界面層 ,  *比接触抵抗

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (3件)： TiO2 ,  界面層 ,  比接触抵抗