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J-GLOBAL ID:201202281246139853   整理番号:12A1066816

インライン式AP-MOCVDによるCdTe層蒸着時の材料利用率

Material utilisation when depositing CdTe layers by inline AP-MOCVD
著者 (5件):
資料名:
巻: 354  号:ページ: 81-85  発行年: 2012年09月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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薄膜太陽電池に向けた,常圧有機金属気相蒸着(AP-MOCVD)によるテルル化カドミウム(CdTe)層の蒸着(の前駆体の利用率を評価するために,研究に取り組んだ。厚さ0.7mmのガラス基板に対して垂直なシャワーヘッド状構造体(5×7.5cm2)から前駆体を放出し,ガラス基板をシャワーヘッド状構造体の下部で静止,あるいは,移動させながら,最大2.25cm/minまでの速度でガラス基板上に蒸着した。実効的な前駆体利用速度を評価するために,蒸着物(層)の質量を,理想モル供給を計算した理論値と比較した。また,層の厚さ,組成,形態および結晶化度も,それぞれ,形状測定,エネルギー分散型X線分光法(EDX),走査型電子顕微鏡法(SEM),X線回折(XRD)を用いて測定した。40%を超える材料利用率を達成することができたが,基板温度,前駆体の種結晶と分圧,並びに,全ガス流量の蒸着パラメータに依存していた。蒸着速度のArrheniusプロットから導き出した活性化エネルギーは,49kJmol-1に等しく,前報の水平反応炉を用いたMOCVD CdTeと一致した。これは,非常に異なる反応炉構造にもかかわらず,本研究で提示したインライン式注入構造の場合にも,アルキルラジカルホモリシスと反応機構が適用できることを裏付けた。これらの結果は,CdTe薄膜太陽電池ハイスループット処理の代替え経路を,インライン式AP-MOCVDで実証するものである。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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半導体薄膜 
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