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J-GLOBAL ID:201202281416383100   整理番号:12A0997117

SiCxNyHz膜の物理的性質

Physical properties of the SiCxNyHz films
著者 (4件):
資料名:
巻: 508  ページ: 283-286  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0744C  ISSN: 1013-9826  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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SiCxNyHz膜の物理的,化学的性質を調べた。有機シラン化合物ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を前駆体としてプラズマCVD法でSi(100),Ge(100)及び溶融石英基板に基板温度100~800°Cで作製した。IRで膜の化学結合を,レーザービーム偏向法で機械的応力と熱膨張係数を,SAW分光でYoung率と密度を,エリプソメトリで屈折率と膜厚を,透過分光で光学的バンドギャップを測定した。製膜温度が低いと化学結合には有機物的性質が認められ,Young率,屈折率,密度が小さかった。製膜温度が高くなると非晶質と黒鉛と窒化ケイ素のナノ結晶から成る無機複合材料となり,光学的バンドギャップと熱膨張係数が減少した。
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