文献

J-GLOBAL ID：201202281683998326   整理番号：12A1306370

層転写により作製した高Q値AlNフォトニック結晶ナノ梁空洞

High-Q AlN photonic crystal nanobeam cavities fabricated by layer transfer

著者 (6件)： SERGENT S. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN) ,  ARITA M. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN) ,  KAKO S. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN) ,  TANABE K. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN) ,  IWAMOTO S. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN) ,  ARAKAWA Y. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 10  ページ： 101106-101106-4  発行年： 2012年09月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/AlN量子ドットを埋込んだ高Q値の一次元フォトニック結晶ナノ梁空洞をエピタキシャル層転写法により作製した。SiCの高感度背面エッチングと水素シルセスキオキサン結合層を用いてSi基板へ転写する前にSiC上にGaN/AlN量子ドットを成長させた。次に,電子ビームリソグラフィー,ドライエッチング,結合層のHFアンダーエッチングによりナノ梁空洞を作製した。得られたナノ空洞は6.3×10³よりも高い品質係数を示し,これは光活性III族窒化物フォトニック結晶ナノ空洞に対してこれ迄報告されている最高の品質係数である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  フォトニックバンドギャップ ,  梁 ,  窒化ガリウム ,  量子ドット ,  半導体材料 ,  *化合物半導体 ,  *エピタクシー ,  エッチング ,  電子ビームリソグラフィー ,  Q値 ,  *光共振器 ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： ナノ梁

分類 (1件)： レーザ一般  (BD04030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 層 ,  転写 ,  作製 ,  Q値 ,  AlN ,  フォトニック結晶 ,  ナノ梁 ,  空洞