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J-GLOBAL ID：201202281749701915   整理番号：12A1763718

RhSiの仕事関数およびYoung率の関係とRhSi/Si界面でのSchottky障壁高さの推定 ab initio研究

Relation between the work function and Young’s modulus of RhSi and estimate of Schottky-barrier height at RhSi/Si interface: An ab-initio study

著者 (2件)： NIRANJAN Manish K. (Dep. of Physics; Indian Inst. of Technol., Hyderabad, IND) ,  WAGHMARE Umesh V. (Theoretical Sciences Unit; Jawaharlal Nehru Center for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 9  ページ： 093702-093702-5  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RhSiの仕事関数およびYoung率の関係を調査するために,およびSi/RhSi(010)界面でのp-Schottky障壁高さ(SBH)を評価するために,密度汎関数法計算を行った。RhSiのYoung率と仕事関数は元素金属に対して最近提案された包括的な6次の関係を満足する。計算したSi/RhSi界面でのp-SBHが反対極限で,すなわちピン止め無しおよび強いピン止めの状態で0.04eVだけ異なることを発見する。界面の空孔によってp-SBHが約0.28eVと同程度減少することが分かる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  界面 ,  *ケイ化物 ,  *仕事関数 ,  *Young率 ,  ab initio法 ,  密度汎関数法 ,  ピン止め ,  *ロジウム化合物 ,  ケイ素 ,  空格子点
準シソーラス用語： 空孔【点欠陥】

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  電子放出一般  (BM09010H) ,  金属の機械的性質  (BL01022T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 仕事関数 ,  Young率 ,  Si ,  界面 ,  Schottky障壁高さ ,  推定 ,  研究