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J-GLOBAL ID：201202282141039663   整理番号：12A0900413

多孔性シリコンとTiO₂:Crのスパッタ蒸着に基づく2重処理の手段による多結晶シリコン中の少数キャリア寿命の増大

Minority carrier lifetime enhancement in multicrystalline silicon by means of a dual treatment based on porous silicon and sputter-deposition of TiO₂:Cr passivation layers

著者 (7件)： HAJJAJI A. (Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet ...) ,  HAJJAJI A. (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...) ,  RABHA M. Ben (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...) ,  JANENE N. (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...) ,  GAIDI M. (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...) ,  BESSAIS B. (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...) ,  KHAKANI M.a. El (Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 20  ページ： 8046-8048  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔性シリコン(PS)処理とTiO₂:Crパシベーション層のスパッター堆積を組み合わせた,多結晶性シリコン(mc-Si)の2重パシベーションアプローチを報告した。2at.%の最適Cr含有量において,実効少数担体寿命は2桁以上(2から~733μs)大幅に増大したことが見出された。著者らの結果はこの2重処理がmc-Si基板の強力なパシベーションを提供するのみならず,500nmでの全表面反射率も減少する(未処理mc-Siに対する40%からTiO₂:Cr/PS処理表面の約19%まで)ことを実証した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *多結晶 ,  *多孔性 ,  *酸化チタン ,  クロム ,  *不動態化 ,  スパッタ蒸着 ,  *少数キャリア ,  *キャリア寿命 ,  反射率 ,  ドーピング
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  表面反射率

分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多孔性シリコン ,  TiO2 ,  Cr ,  スパッタ蒸着 ,  多結晶シリコン ,  少数キャリア寿命