抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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世界的な人口の急増,新興国の経済発展に伴い,エネルギー需要は増加の一途をたどっている。エネルギー源の一つである化石燃料については,将来の枯渇,供給不安定及び価格高騰のリスクが依然として残っている。そこで,新エネルギーと言われる風力・太陽光等の再生可能エネルギーに注目が集まっている。一方,エネルギーの効率的な運用も重要になっている。これらのエネルギーは電力として供給・消費されるのが最適の手段となっており幅広く利用されている。これら電力エネルギーの有効利用については,パワーエレクトロニクス(PE)技術の発展が必要不可欠である。三菱電機では,パワーエレクトロニクスの装置だけでなく,装置の核となるパワーデバイスを市場に供給している。特に複数素子を1パッケージに組み込んだIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュール及び最適な保護・駆動機能を含む周辺回路を取り込んだインテリジェントパワーモジュール(Intelligent Power Module:IPM)の性能向上を進めている。これらパワーモジュールは,IGBTやダイオードの構造・プロセス設計だけでなく,高温化・高信頼性を追及したパッケージ技術も併せて重要な技術要素を基に成り立っている。最近になり,IGBTやダイオードの素材をSiからパワーデバイスにより適したSiC(Silicon Carbide)ウェーハを使用したMOSFET・SBD(Schottky Barrier Diode)の開発を進めており,損失の大幅な低減・モジュールの小型化等パワーエレクトロニクス機器の大幅な進化に寄与するものとして注目を集めている。(著者抄録)
