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J-GLOBAL ID：201202282747773966   整理番号：12A1506357

中間層としてPECVD炭化ケイ素を使ったシリコン/ガラスアノードボンディングの検討

Investigation of silicon/glass anodic bonding with PECVD silicon carbide as the intermediate layer

著者 (5件)： TANG W (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  TANG W (Chinese Acad. of Engineering Physics, Sichuan, CHN) ,  MENG B (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  SU W (Chinese Acad. of Engineering Physics, Sichuan, CHN) ,  ZHANG H X (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 22  号： 9  ページ： 095011,1-7  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,プラズマ強化化学蒸着(PECVD)法により蒸着した炭化ケイ素(PE-SiC)が優れた機械的性質,化学的安定性や集積回路適合性などの特徴を持つためMEMSへの適用が注目されている。本稿では,PE-SiCをMEMSデバイスのパッシベーション層として使い,さらにアノードボンディングの中間層としての実用化について検討した。実験の結果,PE-SiCの厚みが増加するとボンディング強度が減少するが,漏れ率は従来のSi/ガラスアノードボンディングと同等であることが分かった。1μmの中間層PE-SiCでボンディングによる引張が70.7MPaとなり,応力勾配が24.6MPa減少することが分かった。このプロセスを使う場合,考慮しなければならない。

シソーラス用語： 層 ,  *プラズマCVD ,  *炭化ケイ素 ,  接合 ,  MEMS ,  不動態化 ,  剪断応力 ,  引張応力 ,  勾配 ,  漏れ
準シソーラス用語： PECVD ,  *アノードボンディング ,  パッシベーション ,  応力勾配 ,  中間層

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 中間層 ,  PECVD ,  炭化ケイ素 ,  シリコン ,  ガラス ,  アノードボンディング