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J-GLOBAL ID：201202283095738850   整理番号：12A1706172

MOVPEによる(100)GaAs基板上に成長させたZnTeエピタキシャル層の光学的性質に及ぼす基板温度の影響

Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE

著者 (9件)： HUANG Shulai (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  HUANG Shulai (Qingdao Agricultural Univ., Qingdao, CHN) ,  JI Ziwu (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  ZHAO Mingwen (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  ZHANG Lei (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  GUO Hongyu (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  LIU Baoli (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  XU Xiangang (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  GUO Qixin (Saga Univ., Saga, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 10  ページ： 2041-2044  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnTeは2.26eVのワイドバンドギャップを持つII-VI化合物半導体である。種々の温度の(100)GaAs基板上に成長させたZnTeエピタキシャル層の光ルミネセンス(PL)を調べた。基板温度が低過ぎる(390°C)又は高過ぎる(440°C)と欠陥形成ないし不純物包有によりエピタキシャル層の品質が低下した。420°Cでは高品質のエピタキシャル層が得られ,スペクトル幅の狭い強いPL強度が得られた。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  テルル化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *エピタクシー ,  MOCVD ,  光ルミネセンス ,  *発光スペクトル ,  基板温度 ,  温度依存性
準シソーラス用語： MOVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOVPE ,  GaAs基板 ,  成長 ,  ZnTe ,  エピタキシャル層 ,  光学的性質 ,  基板温度