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J-GLOBAL ID：201202283125064387   整理番号：12A1754341

湿式洗浄はパターン崩壊メカニズム研究を誘導する

Wet Clean Induce Pattern Collapse Mechanism Study

著者 (12件)： YANG C. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  KO C. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  OUYANG H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  CHEN K. F. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  PENG Y. Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  LIOU J. W. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  CHOU C. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  TSAI H. Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  LIN K. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  JENG S. M. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  TAO H. J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN) ,  CAO M. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, HsinChu, TWN)
資料名： Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena  (Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena)
巻： 187  ページ： 253-256  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0583A  ISSN： 1012-0394  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 洗浄 ,  崩壊メカニズム ,  研究 ,  誘導