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J-GLOBAL ID：201202283155796447   整理番号：12A1584207

薄い三酸化モリブデン層を用いたペンタセン薄膜トランジスタにおける改良した見かけの電界効果移動度の背後にあるメカニズム

Mechanism behind Improved Apparent Field-Effect Mobility in Pentacene Thin-Film Transistors with Thin Molybdenum Trioxide Layer

著者 (7件)： MINAGAWA Masahiro (Nagaoka National Coll. of Technol., Niigata, JPN) ,  SATO Yasuo (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  TAKAHASHI Akira (Nagaoka National Coll. of Technol., Niigata, JPN) ,  BABA Akira (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  SHINBO Kazunari (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  KATO Keizo (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  KANEKO Futao (Niigata Univ., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 10,Issue 1  ページ： 101601.1-101601.5  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ルイス酸三酸化モリブデン(MoO₃)の薄い層を挿入すると,有機電界効果トランジスタ(OFETs)の電荷キャリアの見かけの移動度が向上する。これの支配的機構を識別するために,われわれは最下層ペンタセン(70-znm)/MoO₃(1nm)/表面ペンタセン(znm)の構造,あるいは,金ソース電極とドレイン電極の下にペンタセン(69nm)/MoO₃(1nm)のみを持つ構造,それぞれのデバイスの特徴を調べた。前者のデバイスはzの値に関係なく大きなドレイン電流(I_DS)と移動度を示した。また,後者のデバイスは従来のペンタセンOFETのものに匹敵するI_DSと移動度を示し,伝導チャネルの直上のCT錯体の形成が重要なメカニズムであることを示唆している。ペンタセン/MoO₃の界面でのCT錯体の解離によって生成されたキャリアは,効果的なチャネルと見かけモビリティの形成に寄与している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *有機半導体 ,  *酸化モリブデン ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  電荷移動錯体 ,  ポリアセン ,  酸化モリブデン(VI)
準シソーラス用語： 三酸化モリブデン ,  有機電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (20件)：

• 1) A. Tsumura, H Koezuka, and T. Ando: Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 1210.
• 2) K. Kudo, D. X Wang, M. hzuka, S. Kuniyoshi, and K. Tanaka: Thin Solid Films 331 (1998) 51.
• 3) K. Kudo, D. X. Wang, M. hzuka, S. Kuniyoshi, and K. Tanaka. Synth. Met. 111-112 (2000) 11.
• 4) C. D. Dimitrakopoulos and P R. L. Malenfant: Adv. Mater. 14 (2002) 99.
• 5) Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, and T. N. Jackson: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 606.

タイトルに関連する用語 (5件)： 三酸化モリブデン ,  ペンタセン ,  薄膜トランジスタ ,  電界効果移動度 ,  メカニズム