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J-GLOBAL ID：201202283259939584   整理番号：12A0697657

収差補正したHAADF-STEMによるInAs/GaSb超格子界面の定量的歪解析

Quantitative strain analysis of interfaces in InAs/GaSb superlattices by aberration-corrected HAADF-STEM

著者 (8件)： MAHALINGAM K. (UES Inc., OH, USA) ,  MAHALINGAM K. (Wright-Patterson Air Force Base, OH, USA) ,  HAUGAN H.J. (Universal Technol. Corp., OH, USA) ,  HAUGAN H.J. (Wright-Patterson Air Force Base, OH, USA) ,  BROWN G.J. (Wright-Patterson Air Force Base, OH, USA) ,  EYINK K.G. (Wright-Patterson Air Force Base, OH, USA) ,  JIANG Bin (Lawrence-Berkeley Lab., CA, USA) ,  JIANG Bin (FEI Co., OR, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8268  ページ： 826831.1-826831.6  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaSb超格子の界面歪分布を収差補正プローブを用いた透過型走査電子顕微鏡(STEM)により調べた。ピーク対アルゴリズムを用いて界面及び個々の層における局所原子変位を決定した。測定した原子変位を用いて歪写像を計算した。また,顕微鏡画像をFourier変換して画像の化学的に敏感な(200)Fourier成分を得た。InAs/GaSb界面はGaAs様で,引張歪は-0.018±0.003であった。界面の全体の歪は無視できた。

シソーラス用語： 透過型走査電子顕微鏡 ,  ヒ化インジウム ,  アンチモン化ガリウム ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  電子顕微鏡観察 ,  変位 ,  歪 ,  解析 ,  *超格子 ,  界面 ,  *歪分布
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  原子変位 ,  引張歪 ,  歪解析

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 収差補正 ,  HAADF-STEM ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  界面 ,  定量 ,  歪解析