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J-GLOBAL ID：201202283708073856   整理番号：12A1515964

電気化学的容量-電圧測定によるAlN/GaNへテロ構造の表面ポテンシャル解析

Surface potential analysis of AlN/GaN heterostructures by electrochemical capacitance-voltage measurements

著者 (6件)： PIETZKA C. (Inst. of Electron Devices and Circuits, Ulm Univ., 89069 Ulm, DEU) ,  LI G. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  ALOMARI M. (Inst. of Electron Devices and Circuits, Ulm Univ., 89069 Ulm, DEU) ,  XING H. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  JENA D. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  KOHN E. (Inst. of Electron Devices and Circuits, Ulm Univ., 89069 Ulm, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 7  ページ： 074508-074508-5  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN/n⁺-GaNへテロ構造試料の表面ポテンシャルを解析した。それは半導体-電解質接触における電気化学的容量-電圧測定によって行った。この測定法とn⁺-GaNバッファ層との組合わせにより,AlN障壁のフラットバンドとGaNバッファのフラットバンドとの間の全領域から,表面ポテンシャルを導出することができた。この方法以外では,トンネリング制限によって,解析は困難である。このAlN/GaNへテロ構造では,AlN障壁層厚に依らず,約1.9eVの表面ポテンシャルが得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  バッファ層 ,  窒化アルミニウム ,  被覆層 ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  *表面電位 ,  容量電圧特性 ,  *半導体-電解質接合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 ,  障壁層 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気化学 ,  電圧測定 ,  AlN ,  GaN ,  テロ ,  表面ポテンシャル ,  解析