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J-GLOBAL ID：201202283870827368   整理番号：12A0387285

プラズマ補助型CVDによる低基板温度でのSi(111)における3C-SiCのヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si(111) at Low Substrate Temperature by Plasma Assisted CVD

著者 (2件)： SHIMIZU Hideki (Aichi Univ. Education, Aichi, JPN) ,  KATO Akira (Aichi Univ. Education, Aichi, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 600/603  号： Pt.1  ページ： 235-238  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  CVD ,  基板温度 ,  Si ,  3C-SiC ,  成長