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J-GLOBAL ID：201202283977416948   整理番号：12A0390733

高速低温スパッタ法によるTiO₂光触媒薄膜の成膜技術開発と薄膜成長モデル解明に関する研究

著者 (6件)： 奥津加奈 (ニコン) ,  奥津加奈 (都城工高専) ,  鬼束さおり (長岡技科大) ,  清文博 (ホンダロック) ,  河野慶彦 (ホンダロック) ,  野口大輔 (都城工高専)
資料名： 都城工業高等専門学校研究報告  (Research Report of Miyakonojo National College of Technology)
号： 45  ページ： 19-29  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： G0388A  ISSN： 0286-116X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論分では,光触媒として利用されるTiO₂の成膜時のTi粒子,酸素正イオンの運動エネルギーが,酸化チタン薄膜の表面構造,結晶性,光励起親水化特性に与える影響と成長モデルに関して考察した。高速低温スパッタ法を用いると3~9倍の成長速度が実現できた。Ti粒子の運動エネルギーを制御することで金属膜の形成過程が制御可能で,酸素正イオンの運動エネルギーにより薄膜構造の制御が可能であることがわかった。

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *スパッタ蒸着 ,  *光触媒 ,  *表面構造 ,  酸素 ,  イオン衝突 ,  アニオン ,  成長速度 ,  運動エネルギー ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 酸素イオン

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (10件)： 低温 ,  スパッタ法 ,  TiO2 ,  光触媒 ,  薄膜 ,  成膜 ,  開発 ,  薄膜成長 ,  モデル ,  研究