文献
J-GLOBAL ID:201202284366667640   整理番号:12A0722507

通信用の光検出への応用を目指したGaInNAsの吸収層を持つGaAs/AlGaAsから成る共鳴トンネルダイオード

GaAs/AlGaAs resonant tunneling diodes with a GaInNAs absorption layer for telecommunication light sensing
著者 (8件):
資料名:
巻: 100  号: 17  ページ: 172113-172113-3  発行年: 2012年04月23日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
近隣に格子整合したGa0.89In0.11N0.04As0.96の吸収層を持つAl0.6Ga0.4As/GaAs/Al0.6Ga0.4Asから成る二重障壁型共鳴トンネルダイオード(RTD)を,分子ビームエピタクシーによって成長させた。リング型の接触電極と電荷を光学的に励起するための開口部を持つメサ型RTDを,エピタキシャル層上に作製した。GaInNAsの吸収層に隣接したAlGaAsのトンネル障壁の間に組み込まれた厚さの異なる薄いGaAsのスペーサー層を持つRTDの電気的および光学的特性を研究した。波長が1.3μmのレーザ光をRTDに照射した場合,光感度が103A/W程度の顕著な光効果を示すことが分かった。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
ダイオード 

前のページに戻る