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J-GLOBAL ID：201202285531199679   整理番号：12A0507758

ホットキャリアストレス下での非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスターにおける酸素吸着により誘起される異常静電容量崩壊

Oxygen-Adsorption-Induced Anomalous Capacitance Degradation in Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film-Transistors under Hot-Carrier Stress

著者 (8件)： CHUNG Wan-Fang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Ting-Chang (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIN Chia-Sheng (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  TU Kuan-Jen (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LI Hung-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSENG Tseung-Yuen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Ying-Chung (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  TAI Ya-Hsiang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 3  ページ： H286-H289  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究で,ホットキャリアストレスの影響をI-V特性および静電容量-電圧(C-V)測定により調べたが,これにより,更にダメージを受けた場所が検証でき,非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物(a-IGZO)薄膜トランジスターにおけるホットキャリアストレスの機構を研究することができた。チャネル長さに沿ったa-IGZOの描写エネルギー帯図は崩壊場所と機構を特定する一助となった。C_GD-V_G曲線における崩壊は正シフトだけでなく,異常な二段階ターンオン挙動に起因した。この現象は,特に,ドレイン末端近くの領域のチャネル層上のゲート誘電体および電場誘起酸素吸着の電子捕獲に帰属することができた。電子捕獲は,電場誘起酸素吸着によりソースエネルギー障壁を増加し,更にドレイン近くのエネルギー帯を上昇し,C_GD-V_G曲線で2段階のターンオン挙動を示した。

シソーラス用語： 非晶質 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  薄膜 ,  ホットキャリア ,  負荷 ,  ストレス ,  *酸素 ,  吸着 ,  *静電容量 ,  *崩壊 ,  電圧 ,  チャネル ,  長さ ,  電流電圧特性 ,  ターンオン ,  電圧変動 ,  酸化膜 ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  電場 ,  電子捕獲 ,  障壁 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  ゲート誘電体 ,  ストレス負荷 ,  ターンオン電圧 ,  *酸化物薄膜 ,  電圧シフト ,  非晶質材料

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (10件)： 非晶質 ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスター ,  酸素吸着 ,  誘起 ,  静電容量 ,  崩壊