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J-GLOBAL ID：201202285585994695   整理番号：12A0955562

BiFeO₃上に堆積させたCoFe膜における光制御磁気抵抗と磁界制御の光抵抗

Light controlled magnetoresistance and magnetic field controlled photoresistance in CoFe film deposited on BiFeO₃

著者 (8件)： KUNDYS B. (Inst. de Physique et de Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 67034 Strasbourg, FRA) ,  MENY C. (Inst. de Physique et de Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 67034 Strasbourg, FRA) ,  GIBBS M. R. J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sheffield, Sheffield S1 3JD, GBR) ,  DA COSTA V. (Inst. de Physique et de Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 67034 Strasbourg, FRA) ,  VIRET M. (Serv. de Physique de l’EtatCondense, DSM/IRAMIS/SPEC, CEA Saclay URA CNRS 2464, 91191 Gif-Sur-Yvette Cedex, FRA) ,  ACOSTA M. (Inst. de Physique et de Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 67034 Strasbourg, FRA) ,  COLSON D. (Serv. de Physique de l’EtatCondense, DSM/IRAMIS/SPEC, CEA Saclay URA CNRS 2464, 91191 Gif-Sur-Yvette Cedex, FRA) ,  DOUDIN B. (Inst. de Physique et de Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 67034 Strasbourg, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 26  ページ： 262411-262411-4  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： われわれは光誘導歪を受ける光抵抗性BiFeO₃(BFO)基板とピエゾ磁気効果CoFe薄膜の相互作用に基づく磁気抵抗-光抵抗デバイスを報告する。CoFeにおける抵抗や磁気抵抗の大きさはBiFeO₃に入射する光の波長によって制御できる。さらに,CoFe膜の磁気異方性への付加的磁気弾性的寄与により異方的磁気抵抗の光起因の減少が検出されている。この効果は光検出システム,波長検出器への応用につながり,次世代磁気抵抗メモリーデバイスの光制御磁気スイッチング特性の研究開発への道を拓くことができると思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  鉄酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  *磁気抵抗 ,  格子歪 ,  *コバルト合金 ,  鉄 ,  鉄含有合金 ,  *磁性薄膜 ,  金属薄膜 ,  圧力効果 ,  *電気抵抗 ,  光照射 ,  スイッチング ,  磁気弾性効果
準シソーラス用語： *光制御磁気抵抗 ,  光誘導歪 ,  ピエゾ磁気効果 ,  光制御磁気スイッチング ,  磁気スイッチング

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： BiFeO3 ,  堆積 ,  光制御 ,  磁気抵抗 ,  磁界