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J-GLOBAL ID：201202285801902695   整理番号：12A1081015

4H-SiCから成るダイオードにおける漏れ電流に対する貫通転位上の表面形態の影響

Impact of surface morphology above threading dislocations on leakage current in 4H-SiC diodes

著者 (8件)： FUJIWARA Hirokazu (Toyota Motor Corp., Toyota, Aichi 470-0309, JPN) ,  NARUOKA Hideki (Toyota Motor Corp., Toyota, Aichi 470-0309, JPN) ,  KONISHI Masaki (Toyota Motor Corp., Toyota, Aichi 470-0309, JPN) ,  HAMADA Kimimori (Toyota Motor Corp., Toyota, Aichi 470-0309, JPN) ,  KATSUNO Takashi (Power Electronics Res. Div., Toyota Central R&D Laboratories Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN) ,  ISHIKAWA Tsuyoshi (Power Electronics Res. Div., Toyota Central R&D Laboratories Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN) ,  WATANABE Yukihiko (Power Electronics Res. Div., Toyota Central R&D Laboratories Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN) ,  ENDO Takeshi (Res. Laboratories, DENSO CORPORATION, Nisshin, Aichi 470-0111, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 4  ページ： 042104-042104-4  発行年： 2012年07月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottky障壁型ダイオードおよび接合障壁型Schottkyダイオードにおける漏れ電流点と同じ場所に位置する貫通転位上に,ナノスケールのピットが見い出された。本研究では,ナノスケールのピットを持つ1.2kV,200Aのダイオードとピットの無いダイオードの漏れ電流特性を比較した。ナノスケールのピットの無いダイオードにおける漏れ電流は,ピットを持つダイオードの漏れ電流よりも低いことが分かった。ナノスケールのピットの無いダイオードでは,漏れ電流はステップバンチング領域で発生し,貫通転位における漏れ電流は観測されなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *Schottky障壁 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  形態 ,  貫通転位 ,  ナノ構造 ,  規模 ,  細孔 ,  表面ステップ ,  光学顕微鏡法 ,  ニッケル ,  モリブデン ,  *半導体金属接合 ,  ステップバンチング ,  ナノスケール ,  レーザ顕微鏡 ,  表面形状

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  ダイオード ,  漏れ電流 ,  貫通転位 ,  表面形態