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J-GLOBAL ID：201202285801937529   整理番号：12A1348437

高い感度および広い範囲の光応答を有するInドープGa₂O₃ナノベルト利用光検出器

In-doped Ga₂O₃ nanobelt based photodetector with high sensitivity and wide-range photoresponse

著者 (10件)： TIAN Wei (National Inst. Materials Sci. NIMS, Ibaraki, JPN) ,  TIAN Wei (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ZHI Chunyi (National Inst. Materials Sci. NIMS, Ibaraki, JPN) ,  ZHAI Tianyou (National Inst. Materials Sci. NIMS, Ibaraki, JPN) ,  CHEN Shimou (National Inst. Materials Sci. NIMS, Ibaraki, JPN) ,  WANG Xi (National Inst. Materials Sci. NIMS, Ibaraki, JPN) ,  LIAO Meiyong (National Inst. Materials Sci. NIMS, Ibaraki, JPN) ,  GOLBERG Dmitri (National Inst. Materials Sci. NIMS, Ibaraki, JPN) ,  BANDO Yoshio (National Inst. Materials Sci. NIMS, Ibaraki, JPN) ,  BANDO Yoshio (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 34  ページ： 17984-17991  発行年： 2012年09月14日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルゴン気流中1000°Cにおける熱蒸着法によってInドープGa₂O₃ナノベルトを合成した。X瀬線回折,走査電子顕微鏡法,透過型電子顕微鏡法および高分解能透過型電子顕微鏡法によってInドープGa₂O₃ナノベルトをキャラクタリゼーションした。InドープGa₂O₃ナノベルトをSi/SiO₂基板上に配置した光検出器を作製し,Ga₂O₃ナノベルトと比べて顕著に高い感度,応答速度,量子効率および短い立ち上がり/減衰時間を示した。さらにこの光検出器はGa₂O₃ナノベルトだけを利用した光検出器より広い応答範囲を示した。

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *光検出器 ,  *ドーピング ,  インジウム化合物 ,  ナノ構造 ,  ナノベルト

分類 (3件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  光電デバイス一般  (NC03081P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 感度 ,  光応答 ,  ドープ ,  Ga2O3 ,  ナノベルト ,  光検出器