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J-GLOBAL ID：201202285939833562   整理番号：12A1704967

InGaP/GaAs HBTを用いた高効率低ひずみ独立バイアス形カスコード電力増幅器

A High-Efficiency Low-Distortion Cascode Power Amplifier Consisting of Independently Biased InGaP/GaAs HBTs

著者 (4件)： 高木裕貴 (電通大) ,  高山洋一郎 (電通大) ,  石川亮 (電通大) ,  本城和彦 (電通大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 251(MW2012 81-113)  ページ： 1-6  発行年： 2012年10月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： カスコード回路構成において,両トランジスタ間に直流バイアスを給電することにより,各トランジスタに独立にバイアスを印加できるようにして,トランジスタ間のバイアスを安定化させ,トランジスタの動作バイアスの設計範囲を拡げる手法を提案している。以前作製したMMICによる増幅器の試作における問題点を改善し,今回,InGaP/GaAs HBTのカスコード回路ブロックを用いた1.9GHz帯独立バイアス形カスコード電力増幅器の設計し,試作を行った。良好な効率,ひずみ特性を得たので報告する。また,従来形との比較も行ったのでその結果についても報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *増幅器 ,  *電力増幅器 ,  *依存性 ,  HBT【トランジスタ】 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  ヒ化ガリウム ,  歪率 ,  効率 ,  *制御 ,  独立性 ,  周波数帯
準シソーラス用語： GaAs ,  InGaP ,  L帯 ,  *MMIC増幅器 ,  *カスコード増幅器 ,  *バイアス依存性 ,  *個別制御 ,  出力効率

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

引用文献 (4件)：

• 高山洋一郎. 立バイアス形カスコ. 信学技報. 2009, MW2009-84, 61-65
• 高山洋一郎. 黎立バイアス形カスコ. 2010 信学ソ大 Sept. 2010
• 石川亮. 高効率低ひず. 儒学技報. 2011, MW2011-121, 47-52
• 高木裕?. InGaP/GaAsHBTを用いた独立バイアス形力. 信学技報. 2011, MW2011-87, 11-15

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaP ,  GaAs ,  HBT ,  高効率 ,  低ひずみ ,  カスコード ,  電力増幅器