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J-GLOBAL ID:201202286260949770   整理番号:12A0849848

酸化物薄膜の作製のための大気圧の直接方式および間接方式のプラズマ支援CVD

Direct and Remote Plasma Assisted CVD at Atmospheric Pressure for the Preparation of Oxide Thin Films
著者 (6件):
資料名:
巻: 103  号:ページ: 814-830  発行年: 2012年04月 
JST資料番号: E0309A  ISSN: 0016-4232  CODEN: GVTKA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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次の3種類の,プラズマ支援CVD法による酸化物皮膜の作製の研究結果を報告した。1)直接方式によるSiOx皮膜の作製:大気圧プラズマバーナを垂直に立て,その下に基板を起き,バーナの上部から,微量のヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を含む空気を流して,SiOxの皮膜を作製。2)間接方式によるTiOx皮膜の作製:チタンテトライソプロポキシド(TTIP)を前駆体に使用した場合には,直接方式では前駆体が加水分解し,皮膜が得られないため,プラズマバーナからの空気の出口に,TTIPを含む窒素ガスを供給して,皮膜を作製。3)複合皮膜の作製:直接方式の装置のバーナの下部にペリレン染料の溶液の霧を吹き込んで,複合皮膜を作製。蒸着条件と蒸着速度の関係,幾つかの皮膜の特性などを紹介した。
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分類 (1件):
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薄膜成長技術・装置 
タイトルに関連する用語 (5件):
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