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J-GLOBAL ID：201202286266309200   整理番号：12A1719338

融液成長希薄磁性半導体Ge_1-xMn_xにおける電子密度からの磁性

Magnetism in melt grown dilute magnetic semiconductor Ge_1-x Mn _x from electron density

著者 (3件)： SHEEBA R.a.j.r. (Res. Centre and PG Dep. of Physics, The Madura Coll., Madurai 625 011, Tamil Nadu, IND) ,  SARAVANAN R. (Res. Centre and PG Dep. of Physics, The Madura Coll., Madurai 625 011, Tamil Nadu, IND) ,  JOHN BERCHMANS L. (Electropyrometallurgy Div., CECRI, Karaikudi 630 006, Tamil Nadu, IND)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15  号： 6  ページ： 731-739  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希薄磁性半導体材料Ge_1-xMn_x(x=0.04,0.06,そして0.10)を融液成長法によって成長した。Mnが乏しいGe₈Mn₁₁とMnが豊富なGe₃Mn₅を電荷密度研究から定量的に解析した。三次元電荷密度画像,二次元Miller面上の電荷配置,そして結合経路に沿った再近接間の一次元電荷密度プロファイルを統計的アプローチ,すなわち,実験X線構造ファクタを用いた最大エントロピー法を用いて示した。Rietveld法と対分布関数(PDF)を用いて局所構造の特徴に関するX線情報を解析した。選択した系の空間電荷分布と磁気挙動間の関係を電荷密度ルートを用いて達成した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *磁性半導体 ,  反強磁性 ,  強磁性 ,  電荷分布 ,  最大エントロピー法 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *マンガン化合物 ,  融液成長 ,  分布関数 ,  Rietveld法 ,  原子構造
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  対分布関数 ,  電荷密度

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 融液成長 ,  希薄磁性半導体 ,  電子密度 ,  磁性