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J-GLOBAL ID:201202286304085930   整理番号:12A1371106

Ga及びN極性バルクGaNに及ぼす極性及び表面処理の効果

Effects of polarity and surface treatment on Ga- and N-polar bulk GaN
著者 (5件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 051210-051210-10  発行年: 2012年09月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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バルクGaNにおける形態的,電気的,及び光学的挙動に及ぼす極性と表面処理の効果を研究した。Kelvinプローブ,原子間力顕微鏡(AFM),及び光ルミネセンス(PL)技術を使用して,ハロゲン化物気相エピタクシーにより成長させた一組の自立バルクGaN試料を調べた。Ga及びN極性表面を機械研磨(MP)あるいは化学機械研磨(CMP)により処理した。これらは形態,表面光起電力(SPV),及びPL挙動に影響を与えた。トポグラフィー研究は,CMP処理Ga極性表面は,試料セットの中で最も滑らかであったが,MP処理N極性表面は,最も高い二乗平均平方根粗さを示した。導電性AFMにより得た局所電流-電圧スペクトルは,N極性対Ga極性表面に関して高い順方向バイアスターンオン電圧を明らかにした。Kelvinプローブを用いて,強度依存SPV測定をCMP処理Ga及びN極性表面の試料について行い,それぞれ,0.83及び0.70eVのバンド曲がり値を得た。CMP処理表面からのSPVの回復は,熱電子モデルにより予測されるように振舞ったが,MP処理からの回復は,予測より速い速度を示した。この結果は,多分,表面への欠陥状態間のホッピングによる電子伝導の増倍によるものであった。室温におけるCMP及びMP処理表面からのPLの量子効率は,それぞれ,~1%及び1×10-5%であり,表面近傍欠陥によるMP処理表面に関するPLの高いクエンチングを示唆した。したがって,AFM,PL,及びSPVデータは,MP処理表面がかなり高い密度の表面欠陥をもっていることを示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (4件):
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半導体の結晶成長  ,  半導体の表面構造  ,  光伝導,光起電力  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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