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J-GLOBAL ID:201202286386326280   整理番号:12A0874004

WO3-x系ナノイオン性素子のバイポーラ抵抗スイッチング時の界面における酸素移動過程

Oxygen migration process in the interfaces during bipolar resistance switching behavior of WO3-x-based nanoionics devices
著者 (5件):
資料名:
巻: 100  号: 23  ページ: 231603-231603-4  発行年: 2012年06月04日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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抄録/ポイント
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Mte/WO3-x/Ptbe(M=Pt,Au)素子で生じるバイポーラ抵抗スイッチング(BRS)挙動とBRS挙動に及ぼす雰囲気(空気,真空,O2気体,N2気体)の影響を調べた。Pt電極との界面でのみ安定したBRSが得られた。上部Pt/WO3-x界面は酸素豊富雰囲気(空気と酸素気体)中でのみ安定したBRSを示した。対照的に,底部WO3-x/Pt界面は全ての雰囲気下で安定したBRSを示した。Pt,Au/WO3-x界面のX線光電子分光測定に基づいて,抵抗スイッチング時の酸素移動過程がPt/WO3-x界面とPt電極の間で主に起きることを同定した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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固-固界面 

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