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J-GLOBAL ID:201202287147506699   整理番号:12A0395745

基板の温度調整で制御する,rfマグネトロンスパッタリングによるNiZnフェライトナノ結晶薄膜の形成

Formation of NiZn ferrite nano-crystalline thin films by rf magnetron sputtering with changing substrate temperatures
著者 (5件):
資料名:
巻: 532  ページ: 145-147  発行年: 2012年03月20日 
JST資料番号: E0350C  ISSN: 0040-6031  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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rfマグネトロンスパッタリングにより,スパッタリング中の基板温度を200から700°Cに変化させて,石英ガラス基板上にNiZnフェライト,Ni0.5Zn0.5Fe2O4薄膜を形成した。その膜を構成するNiZnフェライト結晶のサイズは,基板温度を変化させることにより,10nm以下から約40nmまで制御できることが示された。結晶サイズ~40nmのナノ結晶NiZnフェライト薄膜は,~2GHzまで一定の透磁率を示した。それで,GHz-周波数領域で作動可能な磁気素子材料として,ナノ結晶フェライト薄膜が可能性を持つことを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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