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J-GLOBAL ID：201202287236371179   整理番号：12A1115318

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによってO面のZnO(0001)上にInNを成長させる場合におけるGaの効果

Effects of Ga on the growth of InN on O-face ZnO(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (5件)： CHO Yongjin (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  KORYTOV Maxim (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, DEU) ,  ALBRECHT Martin (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, DEU) ,  RIECHERT Henning (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  BRANDT Oliver (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 5  ページ： 052103-052103-4  発行年： 2012年07月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる温度でO面を持つZnO(0001)基板上に成長させたInNおよびIn_0.95Ga_0.05N薄膜の構造特性を比較した結果を報告する。InNに少量のGaを加えると,形態と構造特性が急激に変化することが分かった。とくに,In_0.95Ga_0.05N薄膜では,高温において反転ドメインが出始めることが判明した。このプロセスは,基板温度を450°C,あるいはそれ以下に保つことによって抑制されるZnOとGaの化学反応の結果である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  基板 ,  酸化亜鉛 ,  *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  分域 ,  基板温度 ,  温度依存性 ,  RHEED ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  化学反応
準シソーラス用語： *プラズマ支援MBE成長 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  反転分域

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  ZnO ,  InN ,  成長 ,  Ga