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J-GLOBAL ID：201202287409057602   整理番号：12A1570911

AlGaN階段電子ブロッキング層を備えたInGaNベース発光ダイオード

InGaN-Based Light-Emitting Diodes With an AlGaN Staircase Electron Blocking Layer

著者 (8件)： CHANG Shoou-Jinn (China Univ. Petroleum (East China), Qingdao, CHN) ,  CHANG Shoou-Jinn (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  YU Sheng-Fu (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIN Ray-Ming (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  LI Shuguang (China Univ. Petroleum (East China), Qingdao, CHN) ,  CHIANG Tsung-Hsun (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHANG Sheng-Po (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Chang-Ho (MOME, Taoyuan, TWN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 17-20  ページ： 1737-1740  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaNベースLEDは交通信号,液晶ディスプレイ,マイクロプロジェクタといった広い可視光応用を有している。しかし高電力LEDでは高注入電流における不十分な効率が課題である。本論文では,一定Al組成を備えたEBL(電子ブロッキング層)を特徴づける対応LEDとAl_xGa_1-xN階段EBLとを組み合わせたLEDの効率低下挙動比較につき報告した。組成ステップEBL(x:0.21,0.14,0.07)のLEDは低電流下で最高のEQE(外部量子効率)を示したが厳しい効率低下があった。一方組成ステップEBL(x:0.07,0.14,0.21)のLEDは飽和ピーク効率における顕著な改善と効率低下緩和があった。本結果は正孔注入効率が効率低下に影響を与える重要因子であることを示唆した。

シソーラス用語： *半導体材料 ,  階段形 ,  ブロッキング ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  エネルギー効率 ,  量子効率 ,  キャリア注入 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物
準シソーラス用語： *AlGaN ,  *InGaN ,  エクセルギー効率 ,  外部量子効率 ,  正孔注入

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  非遷移金属元素の錯体  (CE01030C)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  階段 ,  電子ブロッキング層 ,  InGaN ,  発光ダイオード