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J-GLOBAL ID：201202288319353713   整理番号：12A1737627

GaAs/窒素デルタドープを用いた超格子構造の成長と評価

著者 (4件)： 角谷健吾 (大阪大 大学院) ,  森藤正人 (大阪大 大学院) ,  大島義文 (大阪大 超高圧電子顕微鏡セ) ,  石川史太郎 (大阪大 大学院)
資料名： 真空に関する連合講演会講演予稿集
巻： 53rd  ページ： 111  発行年： 2012年11月14日 
JST資料番号： L1308A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *超格子 ,  ドーピング ,  *化合物半導体 ,  ヒ素 ,  ガリウム ,  窒素 ,  バンドギャップ ,  *MBE成長 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  フォトリフレクタンス ,  *プラズマMBE
準シソーラス用語： *プラズマ分子線エピタキシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  窒素 ,  デルタドープ ,  格子構造 ,  成長 ,  評価